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元件参数资料
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参数目录41602
> IRFBA90N20DPBF MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
型号:
IRFBA90N20DPBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
International Rectifier
描述:
MOSFET N-CH 200V 98A SUPER-220
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRFBA90N20DPBF PDF
产品目录绘图
IR Hexfet Super-220
标准包装
50
系列
HEXFET®
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
标准
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
98A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
23 毫欧 @ 59A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
240nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds
6080pF @ 25V
功率 - 最大
650W
安装类型
通孔
封装/外壳
Super-220?-3(直引线)
供应商设备封装
SUPER-220?(TO-273AA)
包装
管件
产品目录页面
1520 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
*IRFBA90N20DPBF
查看IRFBA90N20DPBF代理商
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